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纳米压印技能可提高LED发光功率20-30%
来源:http://www.zawa0150.com 责任编辑:环亚娱乐ag88 更新日期:2018-08-14 02:47

  纳米压印技能可提高LED发光功率20-30%

  纳米压印是指经过像盖章相同把刻着精密图画的模具按压到基板等的上面,很多转印该图画的技能。最近,该技能的实用化事例越来越多。

  用R2R办法量产LED用模具

  选用纳米压印技能的精密图画构成技能有助于进步LED和有机EL等的发光功率。东芝机械公司开发出了包含专用的压印设备在内,将LED的发光功率进步20~30%的技能。运用在蓝宝石基板外表构成凹凸图画的“PSS”(Patterned Sapphire Substrate,图形化蓝宝石衬底),进步了反射率等,然后进步了发光输出。

  东芝机械纳米加工体系业务部副业务部长后藤博史表明,存在的问题是怎么削减模具的缺点数量,以及怎么使本钱比运用现有步进器构成图画时更具优势。“基板有缺点的话,LED就不会发光。而为下降本钱重复运用模具的话,缺点就会越来越多”。

  该公司针对这两个问题采纳的对策是,把运用R2R办法很多仿制的树脂模具制成一次性产品。“把4英寸晶圆的本钱降到5美元以下的方针已有端倪”。树脂模具还有一个长处,那就是合适不一定平整的蓝宝石基板。

  完成高品质GaN晶体

  最近还呈现了运用纳米压印技能进一步进步LED功率的可能性。古河机械金属、金泽工业大学、东芝机械以及早稻田大学副教授水野润的研究室运用纳米压印技能开发出了将GaN晶体的位错(位错:晶体中含有的线状缺点。此前GaN晶体的位错密度高达1×109/c㎡以上,被认为是向LED流过大电流时导致发光功率下降的原因。)降至大约本来的1%的办法。

  具体办法是:首先在本来的GaN晶体上构成SiO2薄膜,运用纳米压印技能构成几十个nm宽的小口;然后再次成长GaN晶体。这样,SiO2膜下方的GaN晶体的位错就不会抵达上方的GaN晶体,由此能削减上方GaN晶体的位错。早稻田大学的水野教授介绍说,“咱们试制了LED,承认该技能可进步输出功率并延伸寿数。应该也能用于功率半导体”。

  水野表明,该技能还有望下降LED的驱动电压。“因为位错少,曾经有必要到达140μm厚度的GaN晶体可大幅减薄至21μm以下”。

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